В кампусе «Техноспарка» второй очереди строительства с контрактными и продуктовыми компаниями будет развернут новый кластер стартапов.
«C момента запуска «ТехноСпарка» наши и продуктовые, и контрактные компании выросли, для дальнейшего развития им нужны бОльшие площади. К тому же, мы запускаем новую серию стартапов, которым также требуются площади. Один из таких кластеров будет заниматься водородными технологиями и системами накопления энергии. Новые стартапы организуют более 550 рабочих мест», — отметил генеральный директор «ТехноСпарка» Олег Лысак.
Во второй очереди кампуса «ТехноСпарка» планируется разместить административный, лабораторный и производственные корпуса. Стартапы, которые займут в них площади будут заниматься:
— контрактной сборкой медицинских приборов и оборудования;
— производством эндопротезов и имплантов с помощью традиционных и аддитивных технологий;
— производством логистических роботов;
— водородными технологиями и системами накопления энергии;
— геномными и биотехнологическими исследованиями;
— встраиваемой фотовольтаикой и солнечными электростанциями.
Технологические помещения второй очереди будут устроены и оснащены таким образом, чтобы в них разместились компании с оборудованием любой сложности.
Напомним, первый комплекс зданий кампуса «ТехноСпарка» из трех корпусов открыт в 2012 году. Это административно-офисные помещения, лабораторный и производственный блоки. Сейчас в кампусе размещаются стартапы, работающие в таких технологических доменах, как логистическая робототехника, системы хранения электроэнергии, медицинское хай-тек оборудование и композиты, искусственные алмазы и оптические покрытия, геномика и индустриальная микробиология, тонкопленочная интегрированная фотовольтаика и аддитивные технологии. Перед пандемией, в марте 2020 года, «ТехноСпарк» открыл Российский центр гибкой электроники в новом, четвертом, корпусе кампуса. Вторая очередь строительства кампуса «ТехноСпарка» одобрена на площади 2,62 га, а суммарная поэтажная площадь всех объектов составит 13 тыс. квадратных метров.